上周东芝及WD（西部数据）宣告，已研发出有填充64层的3DNANDFlash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过难道仍无法转弯NANDFlash市占到王三星。外电报道，三星将先行于今年底前开始量产64层3DNAND，三星回应，目标是今年生产4GV-NAND，有可能意即为64层3DNAND。　　SSD（固态硬盘）近年来制程技术演变，成本价格渐渐迫近硬盘（Harddisk），因此渗透率大幅提高，各大厂相继将生产DRAM生产能力渐渐改向NANDFlash（储存型快闪记忆体），大抢市占到亲率，除了比市占到更加还要比技术。　　东芝（Toshiba）及WD于日前同时公布新闻稿宣告，已领先全球研发出有填充64层的3DFlash制程技术，月开始向客户送来样，预计将利用本月7月竣工的日本四日市工厂新的第2厂房量产，量产时间都预计为2017年上半年。

　　当时市场都理解NANDFlash龙头三星，因64层填充技术仍未有生产量消息，因此指出将被东芝及WD转弯，但根据韩国媒体《ElectronicsWeekly》报导，三星回应，预计将于今年底前量产4GV-NAND及18纳米制程的DRAM，目前进展成功。

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